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第510章 无法跳跃的光刻机迭代(第1 / 2页)

对于亮剑世界的民众来说,这近几年来东大的震惊实在给人太多了,让人有些目不暇接,到现在都有些审美疲劳的感觉。

航空母舰的问世,其实也就喧嚣了一天就重新归于平静。

毕竟比起把人送到太空中来说,这个航空母舰的问世对于普通人远远没有那么大的冲击力。

甚至人们都刻意忽略了这个。

因为有没有这个,大家早就清楚东大非常不好惹。

所以对于东大的第一艘航空母舰,也就是浅浅惊讶一下就完事了。

他们甚至都感觉不到东大民众对这个航空母舰的激情。

当然,东大的航空母舰对于亮剑世界来说早就不是什么秘密,毕竟一开始东大方面就没有躲藏着搞的意思,甚至还把约翰牛都拉进来贡献了一把自己的技术。

所以这个进度什么的,世界上各个主要大国其实心知肚明。

只不过下水后,对于亮剑世界的诸国大人物们来说,东大的这个进度似乎有点快,3年多的时间就搞定一艘航空母舰,这效率简直有些堪比二战时期的流氓鹰了!

要知道这可不是那种商船改造的简易护航航母,是真正的从头设计的战争怪兽!

不过任重没管这些,军事方面完成了最后一环的布局,这艘从头到尾设计的新航母,等于是将任重辛辛苦苦从主世界搬运过来的航母资料差不多都用上了。

接下来的这个团队也算是有了一个实操的过程,将一艘新时期全新的现代化航空母舰完全摸了一遍。

可以说除了舰载机和航电方面还有些不可逾越的时代差异,在动力方面,舰载机数量、甲板设计、弹射和拦阻等方面来说,现在的燕都号航空母舰不输给现代任何的航母了。

等于是为东大争取了半个多世纪的时间提前进入到航母时代。

有了这个开始,未来的东大海军再无瓶颈,从大黑鱼、大驱、两栖攻击舰到航空母舰,一应俱全,从质量来说已经开始完全超出了现在的任何对手。

只是在数量上没有人多,但是在质量上只会超越。

所以对于军事方面的发展,任重到了现在,总算是可以完全交给下属的团队他们自己去迭代了!

接下来他们的硬骨头应该就是多普勒雷达到相控阵雷达的不断努力,将航电进一步提升,然后在驱动方面进一步优化迭代新型的燃机和核动力堆,以及超大型柴油机这样的动力机械,把能量利用效率不断提升到新的高度。

从技术演变的技术路线规划上,任重这边已经给了他们足够多的资料。

所以,在深思熟虑之后,任重在清理了手中的多个技术发展路径后,毅然决然地将他的战略目光重新聚焦于电子工业这一至关重要的领域。

尽管当前光刻机技术已取得了突破性进展,迈入了全新的2微米时代,为286芯片的生产孕育了新的生产设备,但在任重那阅尽主世界科技发展史的深邃眼光中,这仅仅是电子工业蓬勃发展的萌芽阶段。

286电脑,在漫长的计算机发展历程中,不过是微不足道的一瞬。它标识着个人电脑从最初的萌芽走向初步的应用,但远未达到技术的巅峰。目前东大方面刚刚研发的光刻机,即便是最新型号,在任重的主世界视角看来,也不过是史前文物般的存在,那些古老的设备在主世界几乎难以寻觅其踪迹,只能在尘封的历史资料中偶尔一窥其貌。

真正引领电子工业步入现代化的光刻机,其发展历程远比想象中复杂而辉煌。

第一代现代化gline光刻机的诞生,这才真正标志着半导体制造技术实现了历史上的第一次飞跃。它们采用了g-line光源,波长为436nm,这一技术革新使得0.8至0.35微米制程的芯片生产成为可能。对应的设备就是第一代现代化接触式和接近式光刻机,为486及以后新型cpu的制造开辟了新的天地。

在早期的cpu制造工艺中,1微米工艺最多就能支撑386级别cpu的生产,而0.8微米制程的成熟,才标志着486时代的到来。若要进一步跨越到586奔腾级别的cpu,制程必须进化至0.35微米,这无疑是半导体制造领域的一次巨大挑战。

然而,就当前亮剑世界中的东大cpu光刻机技术发展而言,它们还远远没有触及现代化光刻机的门槛。

2微米制程,在任重眼中,不过是史前时代的遗物。未来的道路,还有整整四代不同光源光刻机技术的难关等待攻克,每一步都充满了未知与挑战。

第二代光刻机,以i-line为光源,波长缩短至365nm,技术上的进步使得0.8至0.25微米制程的芯片生产得以实现。这一制程水平,在主世界中,对应着奔腾iii cpu的辉煌时代。奔腾iii,作为英特尔公司的一款经典产品,不仅在性能上实现了显著提升,更在半导体制造工艺上树立了新的标杆。

紧接着,第三代光刻机采用了krf光源,波长进一步缩短至248nm,工艺节点提升至180至130nm水平。这一技术革新,为第一代和第二代奔腾4的生产提供了有力支持。180nm制程工艺的第一代奔腾4 willamette,以及随后一年采用130nm制程工艺的第二代奔腾4处理器northwood,都是这一技术进步的产物。它们不仅提升了cpu的性能,更推动了整个半导体制造业的发展。

而第四代光刻机,则是光刻技术发展历程中的一个极为重要里程碑。arf(duv)光源的引入,使得波长缩短至193nm,并通过技术创新将实际波长利用率提升至134nm,这个技术就是著名的浸润式光刻技术,它使arf光刻水平进一步提高:通过投影物镜下方和晶圆间充满水,由于水的折射率和玻璃接近(在193nm波长中,折射率空气=1,水=1.44,玻璃约为1.5),从投影物镜射出的光进入水介质后,折射角较小,光可以正常从物镜中折射出来。arf光源加浸润技术实际等效的波长为193nm/1.44=134nm。

这一充满天才构想的技术突破,使得130nm后的广泛现代化制程得以实现,最先进制程甚至可以提升至7nm的水平(当然在这样极限制程下良品率远远比不过euv光刻机)。这一代光刻机,是目前主世界使用最广泛、最具代表性的一代。从第三代奔腾4开始,绝大部分cpu、gpu和内存颗粒芯片的生产,都是由这一代光刻机完成的。在任重的主世界中,这也是目前东大方面能掌握的最强制程技术。

然而,挑战并未就此止步。第五代光刻机,以euv为光源,波长缩短至13.5nm,使用的是极紫外光技术。这一技术革新,使得制程节点可以达到14nm到3nm水平,是当前市场上最为先进的产品之一。在主世界中,它被誉为最强的光刻机,广泛应用于最新的cpu和gpu的生产中。这一技术的出现,不仅推动了半导体制造业的又一次飞跃,更为未来的科技发展奠定了坚实的基础。面对如此艰巨的任务,任重深知,如果按部就班去突破,恐怕对于亮剑世界的东大来说有些走弯路了。

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