“气相成底膜！”

随着操作人员的报出指令，一步步程序有序进行。

“旋转涂胶！”

在光刻机内部，机器自动在晶片上涂上光刻胶，随着晶片的转动，检测工具同时启动，大概多了三分钟，随着显示灯上绿灯亮起，这一步也完成了，机器臂直接送到软烘箱，在暖烘箱里面，温度精准到87度的，湿度在7以内的干燥空气缓缓流动。

而每一步都有数个传感器在跟踪，光刻胶烘干之后，便送到工台上，整个对准的时间只要30秒。

“太先进了！”

“我以为pa3000已经很先进，没想到du1800先进这么多！”

“是啊，整个过程缩短了十七分钟！”

曝光需要用五个激光脉冲，而多重曝光需要在程序里面设置曝光三次，然后用第二张掩膜版，分两轮曝光才能得到想要的图案，完成之后浸入显影液中，拿出来继续烘培，传感器进行显影检查……

考验技术的时候来了，一种先进的制程不是先进的光刻机就能解决的，哪怕后世三星、台积电，他们买duv光刻机也是不受限制的，但他们搞3纳米，5纳米，也要投入上百亿美元来研发。

先进的支持需要设计匹配的半导体结构，比如finfet结构，需要设计曝光方法，比如多重曝光方案，哪怕这些都解决了，伱这是在硅片上把这些半导体晶体管制造出来了。

可还有一项你要是没有解决的话，芯片还是不能发挥作用。

那就是连接半导体之间的导线。

行业话说是金属极+高介电常数绝缘层。

这是一个困扰所有半导体厂家的难题，比如现在的intel，已经了数亿美元来摸索，在芯片中，怎么把连接晶体管的铝导线，变成铜导线。

而他们到现在还没有解决。

但赵国庆凭着在伯克利大学研究室的经历知道解决这个问题最有效的办法。

那就是“金属栅极”，能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应的一系列问题，并且可以提供最佳的效能表现。

这是通向未来的钥匙，是踩着99%的半导体厂家尸体摸索出来的……

曝光过后的硅片经过蚀刻，形成凹凸的表面，接下来便是后栅极工艺处理，对硅片进行漏/源区离子注入操作。

接下来便是重点了，在第一时间将硅片加温至530摄氏度，保持五分钟，然后在十秒内进行退火处理。

看起来简单，做起来难，其中夹杂着栅极氧化层，后栅极制造，衬底处理，建伪栅，去伪栅，化学机械研磨cmp等27项步骤，这还不包括各个步骤之间的蚀刻，清洗等内容……

只要错了一步，便不能达到想要的效果。

可以想象，设计这套工艺制程的人得多牛逼。

而这套工艺是还在台积电打拼的梁锦松同志设计的14纳米制造工艺，这套工艺甚至可以用在7纳米芯片上。

而当时的赵国庆与梁锦松，虽然没有见过面，但他们也算是校友。

在加州大学伯克利分校的物理实验室，他和他的合作伙伴纪尧姆·拉科尔教授、以及finfet半导体结构的发明者胡正民教授，复制了整个过程……

印象深刻……

(本章完)